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NCE3420 N沟道 1.25W 20V 2022批次 MOSFET
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商品编号:NS01000325482210
品牌:新洁能/NCE
封装规格:
型号:NCE3420
规格描述:
标准: 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE3420 N管 20V 6A 功率(Pd):1.25W 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCE3420,MOSFET尾料,2022批次,现货特价,原厂正品,保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE3420,封装,漏源电压(Vdss):20V,连续漏极电流(Id):6A,导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@4.5V,5A,阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA,栅极电荷(Qg@Vgs):,输入电容(Ciss@Vds):,反向传输电容(Crss@Vds):,工厂呆滞料,价格特惠。
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NCE2007N 2个N沟道 SOT-23 1.5W 20V 2021批次 MOSFET
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商品编号:NS01000265062105
品牌:新洁能/NCE
封装规格:SOT-23
型号:NCE2007N
规格描述:
标准: 分类:MOSFET 类型:2个N沟道 核心参数:NCE2007N N管 20V 6.5A SOT-23 规格尺寸:SOT-23 功率(Pd):1.5W 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@4.5V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE2007N,MOSFET尾料,2021批次,现货特价,原厂正品,保存完好。新洁能/NCE2个N沟道NCE2007N,SOT-23封装,漏源电压(Vdss):20V,连续漏极电流(Id):6.5A,导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@4.5V,6A,阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA,栅极电荷(Qg@Vgs):,输入电容(Ciss@Vds):,反向传输电容(Crss@Vds):,工厂呆滞料,价格特惠。
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NCE2333Y P沟道 SOT-23 1.8W 12V 2022批次 MOSFET
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商品编号:NS05000265642203
品牌:新洁能/NCE
封装规格:SOT-23
型号:NCE2333Y
规格描述:
标准: 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:NCE2333Y P管 12V 6A SOT-23 规格尺寸:SOT-23 功率(Pd):1.8W 漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id):6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@4.5V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCE2333Y,MOSFET尾料,2022批次,现货特价,原厂正品,保存完好。新洁能/NCEP沟道NCE2333Y,SOT-23封装,漏源电压(Vdss):12V,连续漏极电流(Id):6A,导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@4.5V,6A,阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA,栅极电荷(Qg@Vgs):,输入电容(Ciss@Vds):,反向传输电容(Crss@Vds):,工厂呆滞料,价格特惠。
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NCE0106Z N沟道 TO-92 3W 100V 2021批次 MOSFET
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商品编号:NS05000246472101
品牌:新洁能/NCE
封装规格:TO-92
型号:NCE0106Z
规格描述:
标准: 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE0106Z N管 100V 6A TO-92 规格尺寸:TO-92 功率(Pd):3W 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj) 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):15.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):690pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):90pF@25V 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE0106Z,MOSFET尾料,2021批次,现货特价,原厂正品,保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE0106Z,TO-92封装,漏源电压(Vdss):100V,连续漏极电流(Id):6A,导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V,5A,阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA,栅极电荷(Qg@Vgs):15.5nC@10V ,输入电容(Ciss@Vds):690pF@25V ,反向传输电容(Crss@Vds):90pF@25V,工厂呆滞料,价格特惠。
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NCE9435A P沟道 SOP-8 2021批次 MOSFET
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商品编号:NS05000259892202
品牌:新洁能/NCE
封装规格:SOP-8
型号:NCE9435A
规格描述:
标准: 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:NCE9435A P管 30V 5.3A SOP-8 规格尺寸:SOP-8 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE9435A,MOSFET尾料,2021批次,现货特价,原厂正品,保存完好。新洁能/NCEP沟道NCE9435A,SOP-8封装,漏源电压(Vdss):,连续漏极电流(Id):,导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):,阈值电压(Vgs(th)@Id):,栅极电荷(Qg@Vgs):,输入电容(Ciss@Vds):,反向传输电容(Crss@Vds):,工厂呆滞料,价格特惠。
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NCE3095K N沟道 TO-252 95W 30V 2022批次 MOSFET
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商品编号:NS05000245712203
品牌:新洁能/NCE
封装规格:TO-252
型号:NCE3095K
规格描述:
标准: 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NEC3095K N管 30V 95A TO-252 规格尺寸:TO-252 功率(Pd):95W 工作温度:-55℃~+175℃@(Tj) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):95A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.1mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):38.4nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):1.784nF@15V 反向传输电容(Crss@Vds):212pF@15V 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCE3095K,MOSFET尾料,2022批次,现货特价,原厂正品,保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE3095K,TO-252封装,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):95A,导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.1mΩ@10V,20A,阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA,栅极电荷(Qg@Vgs):38.4nC@10V,输入电容(Ciss@Vds):1.784nF@15V,反向传输电容(Crss@Vds):212pF@15V,工厂呆滞料,价格特惠。
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NCE30H10K N沟道 TO-252 110W 30V 2021批次 MOSFET
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商品编号:NS05000253312105
品牌:新洁能/NCE
封装规格:TO-252
型号:NCE30H10K
规格描述:
标准: 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE30H10K N管 30V 100A TO-252 规格尺寸:TO-252 功率(Pd):110W 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):100A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE30H10K,MOSFET尾料,2021批次,现货特价,原厂正品,保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE30H10K,TO-252封装,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):100A,导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,20A,阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA,栅极电荷(Qg@Vgs):,输入电容(Ciss@Vds):,反向传输电容(Crss@Vds):,工厂呆滞料,价格特惠。
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NCE4080K N沟道 TO-252 80W 40V 2021批次 MOSFET
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商品编号:NS01000245732105
品牌:新洁能/NCE
封装规格:TO-252
型号:NCE4080K
规格描述:
标准: 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE4080K N管 40V 80A TO-252 规格尺寸:TO-252 功率(Pd):80W 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):80A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE4080K,MOSFET尾料,2021批次,现货特价,原厂正品,保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE4080K,TO-252封装,漏源电压(Vdss):40V,连续漏极电流(Id):80A,导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,20A,阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA,栅极电荷(Qg@Vgs):,输入电容(Ciss@Vds):,反向传输电容(Crss@Vds):,工厂呆滞料,价格特惠。
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NCE30PD08S P沟道 SOP-8 2022批次 MOSFET
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商品编号:NS05000253772202
品牌:新洁能/NCE
封装规格:SOP-8
型号:NCE30PD08S
规格描述:
标准: 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:NCE30PD08S P管 30V 8A SOP-8 规格尺寸:SOP-8 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCE30PD08S,MOSFET尾料,2022批次,现货特价,原厂正品,保存完好。新洁能/NCEP沟道NCE30PD08S,SOP-8封装,漏源电压(Vdss):,连续漏极电流(Id):,导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):,阈值电压(Vgs(th)@Id):,栅极电荷(Qg@Vgs):,输入电容(Ciss@Vds):,反向传输电容(Crss@Vds):,工厂呆滞料,价格特惠。
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NCE8295AK N沟道 TO-252 2022批次 MOSFET
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商品编号:NS05000293472208
品牌:新洁能/NCE
封装规格:TO-252
型号:NCE8295AK
规格描述:
标准: 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE8295AK N管 82V 95A TO-252 规格尺寸:TO-252 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCE8295AK,MOSFET尾料,2022批次,现货特价,原厂正品,保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE8295AK,TO-252封装,漏源电压(Vdss):,连续漏极电流(Id):,导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):,阈值电压(Vgs(th)@Id):,栅极电荷(Qg@Vgs):,输入电容(Ciss@Vds):,反向传输电容(Crss@Vds):,工厂呆滞料,价格特惠。
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- ¥0.575元
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NCE30H15K N沟道 TO-252 130W 30V 2021批次 MOSFET
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商品编号:NS01000300212105
品牌:新洁能/NCE
封装规格:TO-252
型号:NCE30H15K
规格描述:
标准: 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE30H15K N管 30V 150A TO-252-2L 规格尺寸:TO-252 功率(Pd):130W 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):150A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE30H15K,MOSFET尾料,2021批次,现货特价,原厂正品,保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE30H15K,TO-252封装,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):150A,导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,20A,阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA,栅极电荷(Qg@Vgs):,输入电容(Ciss@Vds):,反向传输电容(Crss@Vds):,工厂呆滞料,价格特惠。
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- 2500+
- ¥0.405元
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NCEP0178AK N沟道 TO-252 125W 100V 2022批次 MOSFET
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商品编号:NS05000253262204
品牌:新洁能/NCE
封装规格:TO-252
型号:NCEP0178AK
规格描述:
标准: 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCEP0178AK N管 100V 78A TO-252-2 规格尺寸:TO-252 功率(Pd):125W 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):78A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,39A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCEP0178AK,MOSFET尾料,2022批次,现货特价,原厂正品,保存完好。新洁能/NCEN沟道NCEP0178AK,TO-252封装,漏源电压(Vdss):100V,连续漏极电流(Id):78A,导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,39A,阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA,栅极电荷(Qg@Vgs):,输入电容(Ciss@Vds):,反向传输电容(Crss@Vds):,工厂呆滞料,价格特惠。
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- ¥0.9元
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NCE65T360F N沟道 TO-220F 32.6W 650V 2019批次 MOSFET
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商品编号:NS05000237842203
品牌:新洁能/NCE
封装规格:TO-220F
型号:NCE65T360F
规格描述:
标准: 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE65T360F N管 650V 11.5A TO-220F 规格尺寸:TO-220F 功率(Pd):32.6W 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):11.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):360mΩ@10V,7A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2019 品牌:新洁能/NCE NCE65T360F,MOSFET尾料,2019批次,现货特价,原厂正品,保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE65T360F,TO-220F封装,漏源电压(Vdss):650V,连续漏极电流(Id):11.5A,导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):360mΩ@10V,7A,阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA ,栅极电荷(Qg@Vgs):,输入电容(Ciss@Vds):,反向传输电容(Crss@Vds):,工厂呆滞料,价格特惠。
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NCE80H12D N沟道 TO-263 80V 2021批次 MOSFET
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商品编号:NS01000245392104
品牌:新洁能/NCE
封装规格:TO-263
型号:NCE80H12D
规格描述:
标准: 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE80H12D N管 80V 120A TO-263 规格尺寸:TO-263 漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id):120A 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE80H12D,MOSFET尾料,2021批次,现货特价,原厂正品,保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE80H12D,TO-263封装,漏源电压(Vdss):80V,连续漏极电流(Id):120A ,导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):,阈值电压(Vgs(th)@Id):,栅极电荷(Qg@Vgs):,输入电容(Ciss@Vds):,反向传输电容(Crss@Vds):,工厂呆滞料,价格特惠。
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- 1000+
- ¥0.69元
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NCEP070N12D N沟道 TO-263 2021批次 MOSFET
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商品编号:NS05000247892108
品牌:新洁能/NCE
封装规格:TO-263
型号:NCEP070N12D
规格描述:
标准: 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCEP070N12D N管 120V 100A TO-263 规格尺寸:TO-263 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCEP070N12D,MOSFET尾料,2021批次,现货特价,原厂正品,保存完好。新洁能/NCEN沟道NCEP070N12D,TO-263封装,漏源电压(Vdss):,连续漏极电流(Id):,导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):,阈值电压(Vgs(th)@Id):,栅极电荷(Qg@Vgs):,输入电容(Ciss@Vds):,反向传输电容(Crss@Vds):,工厂呆滞料,价格特惠。
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- 800+
- ¥0.69元
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NCEP039N10M N沟道 TO-220 100V 2022批次 MOSFET
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商品编号:NS01000243272202
品牌:新洁能/NCE
封装规格:TO-220
型号:NCEP039N10M
规格描述:
标准: 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCEP039N10M N管100V 135A TO-220 规格尺寸:TO-220 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):135A 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCEP039N10M,MOSFET尾料,2022批次,现货特价,原厂正品,保存完好。新洁能/NCEN沟道NCEP039N10M,TO-220封装,漏源电压(Vdss):100V,连续漏极电流(Id):135A,导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):,阈值电压(Vgs(th)@Id):,栅极电荷(Qg@Vgs):,输入电容(Ciss@Vds):,反向传输电容(Crss@Vds):,工厂呆滞料,价格特惠。
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