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NCE3420 N沟道 1.25W 20V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 NCE3420 N沟道 1.25W 20V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000325482210 品牌：新洁能/NCE 封装规格： 型号：NCE3420 规格描述： 标准: 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE3420 N管 20V 6A 功率(Pd):1.25W 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCE3420,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE3420，封装，漏源电压(Vdss):20V，连续漏极电流(Id):6A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@4.5V,5A，阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCEP070N12D N沟道 TO-263 2021批次 MOSFET 自营 对比 收藏 NCEP070N12D N沟道 TO-263 2021批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS05000247892108 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-263 型号：NCEP070N12D 规格描述： 标准: 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCEP070N12D N管 120V 100A TO-263 规格尺寸:TO-263 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCEP070N12D,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCEP070N12D，TO-263封装，漏源电压(Vdss):，连续漏极电流(Id):，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE3095K N沟道 TO-252 95W 30V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 NCE3095K N沟道 TO-252 95W 30V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS05000245712203 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-252 型号：NCE3095K 规格描述： 标准: 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NEC3095K N管 30V 95A TO-252 规格尺寸:TO-252 功率(Pd):95W 工作温度:-55℃~+175℃@(Tj) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):95A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.1mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):38.4nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):1.784nF@15V 反向传输电容(Crss@Vds):212pF@15V 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCE3095K,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE3095K，TO-252封装，漏源电压(Vdss):30V，连续漏极电流(Id):95A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.1mΩ@10V,20A，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):38.4nC@10V，输入电容(Ciss@Vds):1.784nF@15V，反向传输电容(Crss@Vds):212pF@15V，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCEP0178AK N沟道 TO-252 125W 100V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 NCEP0178AK N沟道 TO-252 125W 100V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS05000253262204 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-252 型号：NCEP0178AK 规格描述： 标准: 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCEP0178AK N管 100V 78A TO-252-2 规格尺寸:TO-252 功率(Pd):125W 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):78A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,39A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCEP0178AK,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCEP0178AK，TO-252封装，漏源电压(Vdss):100V，连续漏极电流(Id):78A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,39A，阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE8295AK N沟道 TO-252 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 NCE8295AK N沟道 TO-252 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS05000293472208 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-252 型号：NCE8295AK 规格描述： 标准: 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE8295AK N管 82V 95A TO-252 规格尺寸:TO-252 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCE8295AK,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE8295AK，TO-252封装，漏源电压(Vdss):，连续漏极电流(Id):，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE4080K N沟道 TO-252 80W 40V 2021批次 MOSFET 自营 对比 收藏 NCE4080K N沟道 TO-252 80W 40V 2021批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000245732105 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-252 型号：NCE4080K 规格描述： 标准: 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE4080K N管 40V 80A TO-252 规格尺寸:TO-252 功率(Pd):80W 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):80A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE4080K,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE4080K，TO-252封装，漏源电压(Vdss):40V，连续漏极电流(Id):80A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,20A，阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE30H15K N沟道 TO-252 130W 30V 2021批次 MOSFET 自营 对比 收藏 NCE30H15K N沟道 TO-252 130W 30V 2021批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000300212105 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-252 型号：NCE30H15K 规格描述： 标准: 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE30H15K N管 30V 150A TO-252-2L 规格尺寸:TO-252 功率(Pd):130W 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):150A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE30H15K,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE30H15K，TO-252封装，漏源电压(Vdss):30V，连续漏极电流(Id):150A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,20A，阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE30H10K N沟道 TO-252 110W 30V 2021批次 MOSFET 自营 对比 收藏 NCE30H10K N沟道 TO-252 110W 30V 2021批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS05000253312105 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-252 型号：NCE30H10K 规格描述： 标准: 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE30H10K N管 30V 100A TO-252 规格尺寸:TO-252 功率(Pd):110W 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):100A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE30H10K,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE30H10K，TO-252封装，漏源电压(Vdss):30V，连续漏极电流(Id):100A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,20A，阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCEP02T10T/XJN N沟道 TO-247 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 NCEP02T10T/XJN N沟道 TO-247 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000276192208 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-247 型号：NCEP02T10T/XJN 规格描述： 标准: 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCEP02T10T N管 200V 100A TO-247 规格尺寸:TO-247 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCEP02T10T/XJN,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCEP02T10T/XJN，TO-247封装，漏源电压(Vdss):，连续漏极电流(Id):，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCEP02T10T/XJN N沟道 TO-247 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 NCEP02T10T/XJN N沟道 TO-247 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000276192207 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-247 型号：NCEP02T10T/XJN 规格描述： 标准: 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCEP02T10T N管 200V 100A TO-247 规格尺寸:TO-247 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCEP02T10T/XJN,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCEP02T10T/XJN，TO-247封装，漏源电压(Vdss):，连续漏极电流(Id):，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
1+
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NCEP02T10T/XJN N沟道 TO-247 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 NCEP02T10T/XJN N沟道 TO-247 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS05000276192205 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-247 型号：NCEP02T10T/XJN 规格描述： 标准: 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCEP02T10T N管 200V 100A TO-247 规格尺寸:TO-247 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCEP02T10T/XJN,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCEP02T10T/XJN，TO-247封装，漏源电压(Vdss):，连续漏极电流(Id):，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCEP039N10M N沟道 TO-220 100V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 NCEP039N10M N沟道 TO-220 100V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000243272202 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-220 型号：NCEP039N10M 规格描述： 标准: 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCEP039N10M N管100V 135A TO-220 规格尺寸:TO-220 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):135A 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCEP039N10M,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCEP039N10M，TO-220封装，漏源电压(Vdss):100V，连续漏极电流(Id):135A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCEP02T10T/XJN N沟道 TO-247 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 NCEP02T10T/XJN N沟道 TO-247 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000276192206 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-247 型号：NCEP02T10T/XJN 规格描述： 标准: 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCEP02T10T N管 200V 100A TO-247 规格尺寸:TO-247 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCEP02T10T/XJN,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCEP02T10T/XJN，TO-247封装，漏源电压(Vdss):，连续漏极电流(Id):，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCEP02T10T/XJN N沟道 TO-247 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 NCEP02T10T/XJN N沟道 TO-247 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS05000276192210 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-247 型号：NCEP02T10T/XJN 规格描述： 标准: 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCEP02T10T N管 200V 100A TO-247 规格尺寸:TO-247 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCEP02T10T/XJN,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCEP02T10T/XJN，TO-247封装，漏源电压(Vdss):，连续漏极电流(Id):，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCEP02T10T/XJN N沟道 TO-247 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 NCEP02T10T/XJN N沟道 TO-247 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS05000276192212 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-247 型号：NCEP02T10T/XJN 规格描述： 标准: 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCEP02T10T N管 200V 100A TO-247 规格尺寸:TO-247 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCEP02T10T/XJN,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCEP02T10T/XJN，TO-247封装，漏源电压(Vdss):，连续漏极电流(Id):，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE65TF099 N沟道 TO-220 322W 650V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 NCE65TF099 N沟道 TO-220 322W 650V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000306502208 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-220 型号：NCE65TF099 规格描述： 标准: 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:TO-220-NCE65TF099 规格尺寸:TO-220 功率(Pd):322W 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj) 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):38A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):89mΩ@10V,19A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):45nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):2.8nF@50V 反向传输电容(Crss@Vds):1.5pF@50V 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCE65TF099,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE65TF099，TO-220封装，漏源电压(Vdss):650V，连续漏极电流(Id):38A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):89mΩ@10V,19A，阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):45nC@10V，输入电容(Ciss@Vds):2.8nF@50V，反向传输电容(Crss@Vds):1.5pF@50V，工厂呆滞料，价格特惠。
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